英国研究者发论文详解UltraRAM技术新进展：目标再提高耐用度

来源：IT之家　2022-01-13 08:25:16

根据外媒 techspot 报道，本月早些时候，英国兰开斯特大学物理与工程系的研究人员发表了一篇论文，详细介绍了 UltraRAM“超高效存储”技术取得的重要进展。

这项技术的目标是将非易失闪存 NAND、易失内存 RAM 结合在一起，兼顾能效，具有极高的耐用。

此前，英特尔 Optane 傲腾已经做出了先行尝试，量产了傲腾内存产品，但是仍不足以完全替代 RAM。

与此同时，三星也有 Z-NAND 技术，铠侠和西部数据也希望将 XL-FLASH 存储应用到消费级或企业级存储产品中。

具体来看，UltraRAM 的制造工艺，与 LED、激光器、光电晶体管等半导体元件相似。

从结构上看，这种存储技术采用硅衬底，相比砷化镓成本大幅降低。

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