索尼首发双层晶体管像素堆叠式CMOS技术 饱和信号量直接翻倍

索尼半导体解决方案宣布其已成功开发出全球首个双层晶体管像素堆叠式 CMOS 图像传感器技术，饱和信号量约提升至 2 倍，使动态范围扩大并降低噪点。

传统 CMOS 图像传感器的光电二极管和像素晶体管分布在同一基片，而索尼的新技术将光电二极管和像素晶体管分离在不同的基片层。

与传统图像传感器相比，这一全新的结构使饱和信号量约提升至原来的 2 倍，扩大了动态范围并降低噪点，从而显著提高成像。

采用新技术的像素结构，无论是在当前还是更小的像素尺寸下，都能保持或是提升像素现有的特点。

索尼开发出的全新结构是堆叠式 CMOS 图像传感器技术的一项进步。

标签： 索尼 CMOS 图像传感器

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