日本创业公司Floadia(富提亚科技)居然宣称他们已经开发出了全新的每单元7个比特(7bpc)的闪存,按照规律需要多达128档,容量则相当于SLC的10倍。
Floadia当然没有延续NAND闪存的老路,而是开发了全新的非易失SONOS单元,在硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)布局的基础上,使用分布式电荷捕获型结构。
中间设置了一层氮化硅薄膜,可以牢牢捕获电荷,从而长久维持数据稳定,并且电压编程擦写循环非常简单。
其中,氧化物-氮化物-氧化物(ONO)层使用了二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)材料,后者制造难度非常低。
官方号称,在极低的电压偏移下,这种闪存可以维持超过10万次编程擦写循环,即便是在150℃高温下,也能持续保存数据长达10年之久。