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美光EUV工艺内存将于三年后量产 相关技术已纳入DRAM蓝图

三星、SK海力士及美光确定未来会用EUV工艺,而美光的EUV工艺内存在2024年量产。

芯研所消息,CPU、GPU为代表的逻辑工艺制程进入7nm之后,EUV光刻工艺不可或缺。

目前内存停留在10nm工艺级别。三星、SK海力士及美光也确定未来会用EUV工艺,而美光的EUV工艺内存在2024年量产。

美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采访中确认,美光已将EUV技术纳入DRAM技术蓝图,将由10nm世代中的1γ(gamma)工艺节点开始导入。

美光EUV工艺DRAM将会先在台中A3厂生产,预计2024年进入量产阶段。

此外,这个1γ工艺要更先进,10nm级别的内存工艺中前三代是1x、1y、1z,再往后是1a、1Β、1γ等。

标签: 美光 EUV

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