Intel宣布了全新的工艺路线图,一个最核心的变化就是改名:10nm Enhanced SuperFin改名为Intel 7,7nm改名为Intel 4,未来还有Intel 3,以及全新晶体管架构的Intel 20A、Intel 18A。
会议上,Intel也首次展示了Meteor Lake的测试晶圆,除了新工艺还有Foveros 3D立体封装。
这一代,也将是Intel消费级处理器第一次放弃完整的单颗芯片,引入不同工艺、不同IP的模块,借助新的封装技术,整合在一起。
再往后,Intel 3工艺进一步优化FinFET、提升EUV,能效比继续提升大约18%,还有面积优化,2023年下半年投产。
它也是最后一代FinFET晶体管,2011年的22nm二代酷睿Ivy Bridge第一次引入。
之后就是后纳米时代了,工艺命名又改了新的规则,首先是Intel 20A,RibbonFET就是类似三星的GAA环绕栅极晶体管,PoerVia则首创取消晶圆前侧的供电走线,改用后置供电,也可以优化信号传输。2024年投产。
接下来是Intel 18A,预计2025年初投产,继续强化RibbonFET,还有下一代高NA EUV光刻,与ASML合作。
标签: Intel4