进一步开拓国产半导体产业 云南大学成功破冰硫化铂半导体材料

据科技日报报道，云南大学材料与能源学院透露：该学院的杨鹏、万艳芬团队，突破了硫化铂材料瓶颈，解决了类石墨烯材料大面积均匀少层硫化铂的合成及其结构和物理的一系列问题。

云南大学副教授杨鹏介绍，石墨烯(碳基第三代半导体材料)作为典型的二维纳米材料，具备化学、光、电、机械等一系列优良的特点而得到广泛应用，但石墨烯存在零带隙、光吸收率低等缺点，限制其更广泛地应用。

与此同时，类石墨烯材料应运而生。作为类石墨烯材料的典型代表，过渡金属硫族化合物不仅具备类似石墨烯的范德华力结合的层状结构，还拥有优异的光、电、磁等，可更好地弥补石墨烯的缺点，拓宽了半导体材料的实际应用范围。

云南大学成功破冰硫化铂半导体材料，为国产集成电路、光电子等半导体产业开辟更宽广的应用器件开发提供了支持，有望成为我国在芯片代工领域中追上国外半导体技术的关键材料。

标签： 硫化铂 半导体

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