性能高、核心面积较小！ 华虹半导体90nm BCD工艺实现规模量产

华虹半导体近日宣布，其 90nm BCD 工艺在华虹无锡 12 英寸生产线已实现规模量产，该工艺具备性能高、核心面积较小等优势。

华虹半导体表示，其 90nm BCD 工艺拥有更佳的电性参数，并且得益于 12 英寸制程的稳定性以及良率优异，为数字电源、数字音频功放等芯片应用提供了更具竞争力的制造方案。

华虹半导体执行副总裁范恒表示，“智能化硬件种类与应用场景不断增多，对电源管理芯片的需求持续攀升，对电源管理芯片的性能要求也在不断提高。”华虹半导体的 90nm BCD 工艺凭借高性能指标及较小的芯片面积等优质特色，受到众多客户青睐。

IT之家了解到，BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)技术是一种单片集成工艺技术，能够在同一芯片上制作 Bipolar、CMOS 和 DMOS 器件，1985 年由意法半导体率先研制成功。随着集成电路工艺的进一步发展，BCD 工艺已经成为 PIC 的主流制造技术。

华虹半导体是全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业，专注于嵌入式非易失性存储器、功率器件、模拟及电源管理和逻辑及射频等特色工艺平台。

标签： 华虹半导体 90nm BCD 规模量产 核心面积

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