台积电1nm以下芯片取得重大进展 可利用半金属铋Bi作为接触电极

台积电今日联合台大、麻省理工宣布，在 1nm 以下芯片方面取得重大进展，研究成果已发表于 Nature。

该研究发现，利用半金属铋 Bi 作为二维材料的接触电极，可以大幅降低电阻并提高电流，实现接近量子极限的能效，有望挑战 1nm 以下制程的芯片。

据介绍，该发现是由麻省理工团队首先发现的，随后台积电将“易沉积制程”进行优化，而台大电机系暨光电所教授吴志毅团队则通过氦离子束微影系统”将元件通道成功缩小至纳米尺寸。

IT之家此前报道，IBM 在 5 月初首发了 2nm 工艺芯片，与当前主流的 7nm 芯片相比，IBM 2nm 芯片的性能预计提升 45%，能耗降低 75%。

不过业界人士表示，由于 IBM 没有先进逻辑制程芯片的晶圆厂，因此其 2nm 工艺无法很快落地，“弯道超车”也比较困难。

标签： 半金属铋Bi 1nm 台积电 芯片

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