近日,嵌入式解决方案提供商赛普拉斯半导体宣布,推出超低功耗非易失性数据记录解决方案。目前,赛普拉斯Excelon LP F-RAM器件处于样片阶段,预计在2019年第二季度正式量产。
据悉,全新的Excelon LP铁电随机存取存储器(F-RAM)能够在记录关键任务数据的同时,最大限度地延长电池续航时间。Excelon LP系列产品采用低引脚数、小尺寸封装,拥有4 Mb和8 Mb两种存储容量的工业级和商用级产品,提供50MHz和20MHz的串行外设接口(SPI),并且具有100nA休眠和1uA待机模式。
对于传统存储器的易失性数据缓冲区来说,Excelon系列具有的瞬时写入功能还能消除电源故障所引发的数据丢失风险。该系列产品的工作电压范围为1.71V至3.6V,并采用符合RoHS标准的行业通用封装,与EEPROM和其他非易失性存储器引脚兼容。Excelon LP F-RAM具有1000万亿(1015)次读/写周期寿命,在85°C下数据可留存10年,在65°C下可留存151年。
除了Excelon LP F-RAM,赛普拉斯Excelon F-RAM系列产品还具有高速非易失性数据记录功能,即使处于汽车和工业等极端温度的环境中,也可防止数据的丢失。
Excelon Auto系列具有2Mb和4Mb的汽车级存储容量,而Excelon Ultra系列则具有4Mb和8Mb的工业级存储容量。使用场景方面,赛普拉斯的F-RAM系列可以应用于汽车、工业、医疗、计算、网络、智能水电气表和多功能打印等领域。