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索尼再次解析堆叠式CMOS图像传感器制造细节:饱和信号可翻番

索尼半导体第二研究部门的Keiichi Nakazawa进一步解析了全新设计的首款两层晶体管像素的堆叠式CMOS新型图像传感器及制造细节。

据其介绍,这款CMOS实现了饱和信号几乎翻倍的处理能力。

按照Keiichi Nakazawa说法,因为传感器的像素非常小,光电二极管和像素晶体管对准精度达到了纳米级。

因此使用了一项名为为3D顺序集成的工艺技术,会在生产过程中直接衬底连接在一起。

而不是像传统那样,在生产完后再连接在一起。同时索尼使用新的连接结构,让耐热从传统400℃提升到1000℃。

根据索尼官方介绍,这款两层晶体管像素的堆叠式CMOS图像传感器能够在不增加手机传感器尺寸的下提升手机影像画质,但索尼官方并未公布何时能够量产和应用于手机设备。

标签: 索尼 CMOS 堆栈式传感器

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